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NTQD6866R2G的技术参数

上传者: 2020-12-13 06:47:59上传 PDF文件 26.49KB 热度 5次
产品型号:NTQD6866R2G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):30最大漏极电流Id(on)(A):6.900通道极性:N沟道封装/温度(°C):TSSOP8 /-55 ~150描述:6.9 A, 20 V功率MOSFET价格/1片(套):¥5.00
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