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NTF2955T1G的技术参数

上传者: 2020-12-12 21:04:24上传 PDF文件 25.82KB 热度 11次
产品型号:NTF2955T1G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):170最大漏极电流Id(on)(A):2.600通道极性:P沟道封装/温度(°C):SOT-223/-55 ~150描述:-60 V, -2.6 A,功率MOSFET价格/1片(套):¥3.60
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