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NTF3055L175T1G的技术参数

上传者: 2020-12-12 20:57:11上传 PDF文件 25.79KB 热度 9次
产品型号:NTF3055L175T1G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):175最大漏极电流Id(on)(A):2通道极性:N沟道封装/温度(°C):SOT-223/-55 ~150描述:2 A, 60 V功率MOSFET价格/1片(套):¥2.30
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