元器件应用中的光敏二极管的主要特性参数

1最高反向工作电压VRM:是指光敏二极管在无光照的条件下,反向漏电流不大于0.1μA时所能承受的最高反向电压值。 2暗电流ID:是指光敏二极管在无光照及最高反向工作电压条件下的漏电流。暗电流越小,光敏二极管的性能越稳定,检测弱光的能力越强。 3光电流IL:是指光敏二极管在受到一定光照时,在最高反向工作电压下产生的电流。其测量的一般条件是:2856K钨丝光源,照度为10001x。 4光电灵敏度Sn:它是反映光敏二极管对光敏感程度的一个参数,用在每微瓦的入射光能量下所产生的光电流来表示,单位为μA/μW。隔 5响应时间Tζ:光敏二极管将光信号转化为电信号所需要的时间。响应时司越短,说明光敏