元器件应用中的光敏二极管型光电耦合器主要特性参数
表:光敏二极管型光电藕合器主要特性参数 注:表中IR为发光二极管的反向漏电流;VBM为光敏三极管最菏反向工作电压;VBR(VCEO)为光敏三极管集电极与发射极击穿电压。
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