FSI国际宣布在硅化物形成步骤中的金属剥离技术取得突破

FSI 国际有限公司宣布已成功地采用FSI ViPR:trade_mark:技术在自对准多晶硅化物形成后去除了未反应的金属薄膜。通过实现这一新的工艺,IC制造商可以在钴、镍和镍铂硅化物集成过程中,大幅度减少化学品的使用和降低对资金的要求。新订购的FSI ZETA:registered: Spray Cleaning System喷雾式清洗系统中已经采用了FSI ViPR:trade_mark:技术,并将用于升级最近已经在生产现场安装的系统。 镍铂硅化物最早应用于65nm逻辑器件,因为它的阻抗更低,从而可实现器件性能的大幅改善。但在早期应用中,业界发现在不损害镍铂硅化物区域的情况下,去除