电源技术中的一种低电压低静态电流LDO的电路设计(二)

相关资料: 一种低电压低静态电流LDO的电路设计(一) 2 电路设计与实现 本文所提的低电压、低静态电流的精简结构的LDO如图2所示。LDO的输出级是一个A类共源级电路,包括PMOS功率管M1,三极管Q1、Q2,电阻R1,R2,R3,Resr和输出负载补偿电容C1.功率管M1有非常大的宽长比来驱动比较大的负载电流。因此M1的沟长选取最小的值,达到尽可能小的寄身电容和尺寸面积。为了获取好的暂态输出特性以及环路稳定,输出补偿电容取5 μF.带隙基准电路包括三极管Q1,Q2,Q3和电阻R1,R2,R3.选取Q2的射级面积为Q1和Q3的射级面积8倍,这是Q2面积和R2阻值折中