In2Se3半导体材料的微结构与电学性能研究 上传者：z21891 2020-08-23 03:10:59上传 PDF文件 307.01KB 热度 45次 In2Se3半导体材料的微结构与电学性能研究,张晓军,应鹏展,运用粉末冶金法对材料高温熔炼,当随炉冷却至860 K后放入冷水中淬火至室温得到了In2Se3样品,对样品粉末微观结构分析发现得到了预期� 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论
