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In2Se3纳米线的合成及相变机理研究

上传者: 2020-04-25 10:15:30上传 PDF文件 1.66MB 热度 30次
In2Se3纳米线的合成及相变机理研究,李洋,高婧,一维相变纳米材料为在纳米尺度研究相变过程和材料热性能提供了一个良好的科学平台,同时也是下一代高存储密度相变存储器的关键材
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