带电的AdS黑洞的配置熵

当我们考虑在高维时空中带电的AdS黑洞,并且沿着共存曲线的分子数密度在数值上扩展到高维情况。 发现随着总尺寸的增大,小黑洞和大黑洞的数密度差减小。 特别地,我们发现构型熵是温度降低的凹函数,并且在临界点(二阶相变)达到最大值。 此外,总尺寸越大,在构造熵中的凹函数越多,而在减压中的凸函数越多。