不同退火温度下晶化硅薄膜的电学输运性质 上传者：蓝天白云29839 2020-07-26 01:29:22上传 PDF文件 317.08KB 热度 50次 不同退火温度下晶化硅薄膜的电学输运性质，宋超，陈谷然，采用等离子体化学气相沉积技术制备氢化非晶硅薄膜，经过不同温度下的热退火处理，使薄膜由非晶结构向晶化结构转变，得到含有纳米 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论
