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单晶硅体寿命与表面复合速率的分离

上传者: 2020-07-23 12:42:49上传 PDF文件 789.4KB 热度 18次
单晶硅体寿命与表面复合速率的分离,宋成源,李平,表面复合速率和体寿命是硅半导体材料的两个重要参数。根据单晶硅中非平衡少数载流子浓度的一维连续性方程,在准稳态光电导测试模
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