论文研究 基于微波退火技术制备的高性能短沟道金属源漏Ge pMOSFET .pdf 上传者：aishangjiajiaolaoshi 2020-07-21 12:26:24上传 PDF文件 657.3KB 热度 7次 基于微波退火技术制备的高性能短沟道金属源漏Ge pMOSFET，赵毅，，采用了微波退火技术制备得到了高性能的超浅NiGe/n-Ge肖特基结，并研究探讨了不同退火技术对肖特基结电学性能的影响。实验结果表明， 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论 aishangjiajiaolaoshi 资源：19607 粉丝：2 +关注 上传资源 免责说明 本站只是提供一个交换下载平台，下载的内容为本站的会员网络搜集上传分享交流使用,有完整的也有可能只有一分部,相关内容的使用请自行研究,主要是提供下载学习交流使用,一般不免费提供其它各种相关服务! 本站内容泄及的知识面非常广,请自行学习掌握,尽量自已动脑动手解决问题,实践是提高本领的途径,下载内容不代表本站的观点或立场!如本站不慎侵犯你的权益请联系我们,我们将马上处理撤下所有相关内容！联系邮箱：server@dude6.com
