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论文研究垂直沟道纳米线器件的非对称源漏掺杂设计及侧墙结构优化 .pdf

上传者: 2020-04-01 22:34:44上传 PDF文件 291.51KB 热度 12次
垂直沟道纳米线器件的非对称源漏掺杂设计及侧墙结构优化,陈珙,黎明,本文针对垂直沟道围栅纳米线场效应晶体管,提出了一种涉及源漏延伸区、源漏侧墙k值以及源漏侧墙宽度的器件设计,TCAD(计算机辅助�
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