KoP calculations of bismuth induced changes band structure of InN1 xBix GaN1 xBi 上传者：worldwind87924 2020-07-19 21:09:25上传 PDF文件 889.71KB 热度 11次 基于KoP方法的InN1-xBix,GaN1-xBix和AlN1-xBix电子能带研究，张峻瑜，芦鹏飞，为了优化Ⅲ族氮化物相关器件的电子效率，价带交叉模型（VBAC）被用来研究InN1-xBix, GaN1-xBix和AlN1-xBix体系的电子能带结构。明显的带隙缩 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论 worldwind87924 资源：424 粉丝：0 +关注 上传资源 免责说明 本站只是提供一个交换下载平台，下载的内容为本站的会员网络搜集上传分享交流使用,有完整的也有可能只有一分部,相关内容的使用请自行研究,主要是提供下载学习交流使用,一般不免费提供其它各种相关服务! 本站内容泄及的知识面非常广,请自行学习掌握,尽量自已动脑动手解决问题,实践是提高本领的途径,下载内容不代表本站的观点或立场!如本站不慎侵犯你的权益请联系我们,我们将马上处理撤下所有相关内容！联系邮箱：server@dude6.com
