论文研究 低能量高掺杂磷原子注入经快速热退火后的杂质分布影响因素研究 .pdf
低能量高掺杂磷原子注入经快速热退火后的杂质分布影响因素研究，王韡祺，黄其煜，在半导体器件中，提高开关速度和降低漏电流或已成为阻碍产业发展的一对无法调和的矛盾。然而半导体产业的蓬勃发展推动了器件制作
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