6H SiC衬底ICP图形化刻蚀技术研究 上传者：矢量人生 2020-07-17 17:58:21上传 PDF文件 481.7KB 热度 16次 6H-SiC衬底ICP图形化刻蚀技术研究，韩铭浩，申人升，通过电子束蒸发设备，在6H-SiC单晶衬底上蒸镀金属Ni做为掩膜图形，利用光刻技术获得图形化Ni掩膜。采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论 矢量人生 资源：415 粉丝：0 +关注 上传资源 免责说明 本站只是提供一个交换下载平台，下载的内容为本站的会员网络搜集上传分享交流使用,有完整的也有可能只有一分部,相关内容的使用请自行研究,主要是提供下载学习交流使用,一般不免费提供其它各种相关服务! 本站内容泄及的知识面非常广,请自行学习掌握,尽量自已动脑动手解决问题,实践是提高本领的途径,下载内容不代表本站的观点或立场!如本站不慎侵犯你的权益请联系我们,我们将马上处理撤下所有相关内容！联系邮箱：server@dude6.com
