Growth and characteristics of La2O3 gate dielectric prepared by low pressure met 上传者：旮旯92186 2020-07-17 02:51:31上传 PDF文件 536.15KB 热度 19次 用MOCVD方法制备La2O3薄膜及其性能的研究，程进波，李爱东，本文主要介绍在硅衬底上用MOCVD方法生长La2O3薄膜。文中对薄膜的生长条件、界面性能及电学性能进行了研究。在600℃下生长的非晶La2O3薄 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论 旮旯92186 资源：425 粉丝：0 +关注 上传资源 免责说明 本站只是提供一个交换下载平台，下载的内容为本站的会员网络搜集上传分享交流使用,有完整的也有可能只有一分部,相关内容的使用请自行研究,主要是提供下载学习交流使用,一般不免费提供其它各种相关服务! 本站内容泄及的知识面非常广,请自行学习掌握,尽量自已动脑动手解决问题,实践是提高本领的途径,下载内容不代表本站的观点或立场!如本站不慎侵犯你的权益请联系我们,我们将马上处理撤下所有相关内容！联系邮箱：server@dude6.com
