Growth and characterization of Ndoped ptype ZnO films grown by low pressure plas 上传者：qq_78713 2020-02-27 14:29:03上传 PDF文件 300.37KB 热度 31次 MOCVD法以N2O射频等离子体掺杂技术生长高质量p型ZnO薄膜，杨天鹏，边继明，采用新型的低压等离子体辅助金属有机化合物气相沉积（MOCVD）技术，以N2O射频等离子体为掺杂源在（0001）蓝宝石单晶衬底上生长N掺杂Zn 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论 qq_78713 资源：456 粉丝：0 +关注 上传资源 免责说明 本站只是提供一个交换下载平台，下载的内容为本站的会员网络搜集上传分享交流使用,有完整的也有可能只有一分部,相关内容的使用请自行研究,主要是提供下载学习交流使用,一般不免费提供其它各种相关服务! 本站内容泄及的知识面非常广,请自行学习掌握,尽量自已动脑动手解决问题,实践是提高本领的途径,下载内容不代表本站的观点或立场!如本站不慎侵犯你的权益请联系我们,我们将马上处理撤下所有相关内容！联系邮箱：server@dude6.com
