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论文研究Simulations and Analysis of the Moving Mask UV Lithography for Thickphotores

上传者: 2020-07-16 06:31:14上传 PDF文件 530.45KB 热度 15次
厚胶移动掩膜UV光刻模拟,余倩,周再发,基于菲涅耳衍射模型对移动掩膜曝光过程进行模拟,利用掩膜的移动函数计算掩膜移动对曝光的影响,同时考虑UV光在空气/光刻胶界面的
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