Bi2Te3/Bi2Se3拓扑绝缘体的点缺陷研究 上传者：埃及魅 2020-05-15 20:05:11上传 PDF文件 571.68KB 热度 50次 Bi2Te3/Bi2Se3拓扑绝缘体的点缺陷研究，姜颖，王勇，通过分子束外延（MBE）方法制备出Sb/Cr掺杂的Bi2Te3以及Fe掺杂的Bi2Se3材料。联合利用电子背散射衍射（EBSD）仪及聚焦离子束（FIB）加工仪� 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论
