采用二次离子质谱法开展碳化硅中Cs离子迁移扩散的研究 上传者：静默55688 2020-04-30 02:58:14上传 PDF文件 424.55KB 热度 29次 采用二次离子质谱法开展碳化硅中Cs离子迁移扩散的研究，臧航，黄智晟，首先用1.5MeV的Si离子在常温下注入多晶化学气相沉积3C-SiC制备非晶SiC，注量为5E16cm-2，然后使用400keV的Cs离子在常温下注入多晶化学气相� 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论
