碳化硅氮离子注入模拟研究 上传者：zcjzy 2020-01-30 05:11:46上传 PDF文件 364.72KB 热度 48次 碳化硅氮离子注入模拟研究，李卓，夏晓川，利用SRIM软件模拟了在不同注入角度、注入能量和注入剂量的条件下，N离子在SiC材料中的分布。根据对模拟结果分析发现，随着注入角度� 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论
