粉末靶材射频磁控溅射法制备BaSn0.15Ti0.85O3薄膜及其性能研究 上传者：生如夏莲 2020-04-19 21:44:57上传 PDF文件 371.48KB 热度 58次 粉末靶材射频磁控溅射法制备BaSn0.15Ti0.85O3薄膜及其性能研究，肖渊渊，黄玉音，采用粉末靶材射频磁控溅射技术在Pt/SiO2/Si基片上制备了厚度为300nm的BaSn0.15Ti0.85O3薄膜，薄膜的沉积速度达到40nm/min，比采用传统陶瓷靶� 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论
