1. 首页
  2. 编程语言
  3. 其他
  4. 论文研究基于机械剥离Ga2O3/SiO2/Si结构的场效应晶体管的电学特性研究 .pdf

论文研究基于机械剥离Ga2O3/SiO2/Si结构的场效应晶体管的电学特性研究 .pdf

上传者: 2020-01-11 19:28:08上传 PDF文件 718.77KB 热度 23次
基于机械剥离Ga2O3/SiO2/Si结构的场效应晶体管的电学特性研究,王赫,梁红伟,通过机械剥离的方法,从氧化镓单晶衬底上获得氧化镓薄片并转移至二氧化硅/硅衬底上,制成了氧化镓背栅场效应晶体管。在器件的转��
下载地址
用户评论