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论文研究A 3.4dB NF kband LNA in 65nm CNOS Technology.pdf

上传者: 2019-09-22 16:20:18上传 PDF文件 486.35KB 热度 25次
基于CMOS65nm工艺的k-band低噪声放大器设计,许建飞,闫娜,本论文提出了一种可以实现最低噪声系数的k波段(18-26.5GHz)LNA的设计方法。然后根据这种设计方法,在65nmCMOS混合信号工艺下设计了�
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