高侧 N 沟道金属氧化物半导体 bq76200

Name: 高侧 N 沟道金属氧化物半导体 bq76200
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Author: lh74076

上传者：lh74076 2019-09-20 00:22:56上传 PDF文件 1.4MB 热度 70次

TI自举升压芯片，用于关断高侧N-MOS，高压电池组前端充电/放电高侧NFET驱动器

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高侧N沟道金属氧化物半导体bq76200

TI自举升压芯片，用于关断高侧N-MOS，高压电池组前端充电/放电高侧NFET驱动器

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