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论文研究Super junction结构4HSiC同质外延生长和肖特基器件制备 .pdf

上传者: 2020-01-01 03:20:34上传 PDF文件 786.21KB 热度 25次
Superjunction结构4H-SiC同质外延生长和肖特基器件制备,宋庆文,张玉明,基于水平式低压热壁化学气相沉积(ChemicalVaporDeposition-CVD)生长系统,采用Al离子注入后进行二次外延生长的方法,成功的在N型4H-SiC��
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