论文研究6HSiC衬底上SiCGe薄膜的生长特性研究 .pdf 上传者：houguof 2020-05-02 12:45:06上传 PDF文件 698.48KB 热度 60次 6H-SiC衬底上SiCGe薄膜的生长特性研究，林涛，李佳，采用低压热壁化学气相沉积法，在6H-SiC衬底(001)面上生长了不同温度（1100℃~1250℃），不同GeH4流量比（13.8%~44.4%）的SiCGe薄膜样品，研究�� 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论
