如何提高肖特基二极管和MOSFET的雪崩耐受性

半导体市场的最新趋势是广泛采用碳化硅（SiC）器件，包括用于工业和汽车应用的肖特基势垒二极管（SBD）和功率MOSFET。与此同时，由于可供分析的现场数据有限，这些器件的长期可靠性成为一个需要解决的热点问题。一些SiC供应商已开始根据严格的工业和汽车（AEC-Q101）标准来认证SiC器件，而另一些供应商不但超出了这些认证标准的要求，还能为恶劣环境耐受性测试提供数据。为了使SiC器件在任务和安全关键型应用中保持较高的普及率，应将这种认证和测试策略与特定的设计规则相结合来实现高雪崩耐受性，这一点至关重要。