深入了解第三代半导体中氮化镓高电子迁移率晶体管的基本结构和性能参数

本资源详细介绍了第三代半导体材料氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)的基本结构和关键参数，包括工作原理、材料特性、结构组成和电气参数等方面内容。此外，本文还探讨了GaN HEMT器件在功率电子、射频微波和光电子领域的应用及相关设计方法，旨在帮助读者更好地理解GaN HEMT器件的原理和特性，提高他们的设计和开发能力。适用于从事半导体器件设计、功率电子、射频微波和光电子等领域的工程师、科研人员和学生，以及对半导体器件和电子技术感兴趣的读者。