常用半导体刻蚀配方及参数介绍
常用的半导体刻蚀配方和参数，并针对不同材料和工艺进行了详细说明。其中包括干法刻蚀氧化硅，干法刻蚀氮化硅，湿法刻蚀氧化硅，湿法刻蚀氮化硅，干法刻蚀多晶硅和湿法刻蚀多晶硅等配方，每种配方的混合气体比例都有详细描述。读者在进行半导体刻蚀操作前，应该仔细研究相关资料，并遵循所用设备和工艺的说明和建议。
下载地址
用户评论
