使用共价附着的原卟啉IX染料在硅(111)表面进行光收集

我们报告了通过能量转移使用共价连接的原卟啉IX(PpIX)衍生物分子在不同距离处通过改变二醇接头至表面的能量转移对光致敏化的晶体硅。 二醇接头分子的链长从2个碳原子改变为10个碳原子,以使PpIX到Si(111)表面的距离在6到18Å之间变化。 荧光猝灭是PpIX-Si表面距离的函数,在最接近的间隔处,荧光寿命降低了近两个数量级。 理论上,通过经典的Chance-Prock-Silbey模型可以解释实验的荧光寿命。 在小于2 nm的间隔处,我们首次观察到特征距离为R0 = 2.7 nm的类似Förster的偶极-偶极能量转移。