基于AlGaInP的微发光二极管阵列器件的设计与制作

利用微机电系统,微结构和半导体,在AlGaInP半导体芯片上设计并制造了一个集成有320 * 240微发光二极管阵列结构的高分辨率(单个像素尺寸为80μm*80μm的)固态自发射有源矩阵。制造技术。行像素共享一个p电极,行像素共享一个n电极。我们通过实验研究了砷化镓衬底厚度对电和光学特性的影响。对于厚度为150μm的GaAs衬底,在5mA时单像素输出功率为167.4μW,在电流增加到10mA时单像素输出功率增加到326.4μW。该器件在许多领域都有着潜在的重要作用。