一种光学通道开放且适合构建晶格的静电阱

提出了一种用三个带电球电极形成一个光学通道开放、针对弱场搜寻态冷极性分子的静电囚禁方案。给出了方案图, 用镜像法推导了空间电场分布的解析解, 并利用有限元软件得到了电场分布的数值解。采用经典蒙特卡罗法模拟了冷极性分子被装载和囚禁于静电阱的动力学过程。研究了入射分子束速度和装载时刻对装载效率的影响, 给出了被囚禁的冷分子的温度。讨论了所提方案在芯片表面囚禁, 尤其是在静电晶格方面的潜在应用。结果表明, 装载效率可以达到47.4%, 阱中冷分子的温度为25.4 mK。