水辅助激光诱导等离子体背部刻蚀Pyrex7740玻璃

提出了水辅助激光诱导等离子体背部刻蚀Pyrex7740玻璃的方法, 制备了缩小型十字通道微流控芯片。通过理论分析和加工试验, 研究了激光能量密度和激光加工次数对平均刻蚀深度的影响, 以及刻蚀过程中去离子水的作用。研究结果表明, 平均刻蚀深度与激光能量密度和激光加工次数有较大关系; 去离子水有助于实现持续刻蚀, 制得的芯片沟槽宽度为77.8 μm, 刻蚀深度为20.4 μm, 刻蚀边缘齐整, 无明显崩边现象; 而在没有去离子水辅助的情况下, 当激光能量密度为3.4 J/cm2时, 最大刻蚀深度为2.8 μm。