5x4”多晶片生产MOCVD系统在4” Si衬底上的AlGaN / GaN HEMT具有良好的重复性 上传者：xxz28402 2021-05-04 07:24:30上传 PDF文件 570.82KB 热度 39次 5x4”多晶片生产MOCVD系统在4” Si衬底上的AlGaN / GaN HEMT具有良好的重复性 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论
