1. 首页
  2. 数据库
  3. 其它
  4. 5x4”多晶片生产MOCVD系统在4” Si衬底上的AlGaN / GaN HEMT具有良好的重复性

5x4”多晶片生产MOCVD系统在4” Si衬底上的AlGaN / GaN HEMT具有良好的重复性

上传者: 2021-05-04 07:24:30上传 PDF文件 570.82KB 热度 11次
5x4”多晶片生产MOCVD系统在4” Si衬底上的AlGaN / GaN HEMT具有良好的重复性
下载地址
用户评论