Nb掺杂的TiO2保护的反向沟道刻蚀非晶InGaZnO薄膜晶体管

Name: Nb掺杂的TiO2保护的反向沟道刻蚀非晶InGaZnO薄膜晶体管
Rating: 4.5 (46 reviews)
Author: q86364

上传者：q86364 2021-05-03 15:40:51上传 PDF文件 832.93KB 热度 46次

下载地址

用户评论

更多下载

下载地址

立即下载

用户评论

Nb掺杂的TiO2保护的反向沟道刻蚀非晶InGaZnO薄膜晶体管

Nb掺杂的TiO2保护的反向沟道刻蚀非晶InGaZnO薄膜晶体管

大小：833KB | 2021-05-03 15:40:51
钝化层厚度对非晶InGaZnO薄膜晶体管稳定性的影响

钝化层厚度对非晶InGaZnO薄膜晶体管稳定性的影响

大小：729KB | 2021-04-20 01:13:23
不同厚度溅射AlOx钝化的非晶InGaZnO薄膜晶体管的光照稳定性

不同厚度溅射AlOx钝化的非晶InGaZnO薄膜晶体管的光照稳定性

大小：742KB | 2021-04-25 16:43:45
具有湿法腐蚀电极的反交错非晶InGaZnO薄膜晶体管的Craft.io开发

具有湿法腐蚀电极的反交错非晶InGaZnO薄膜晶体管的Craft.io开发

大小：643KB | 2021-04-07 11:08:52
钨掺杂氧化锡薄膜晶体管的研究

钨掺杂氧化锡薄膜晶体管的研究

大小：1.25MB | 2021-04-06 11:46:40
非晶氧化铟锌和钨掺杂氧化铟双层薄膜晶体管的制备

非晶氧化铟锌和钨掺杂氧化铟双层薄膜晶体管的制备

大小：165KB | 2021-05-08 20:46:46
非晶InWO薄膜晶体管的退火Craft.io开发

非晶InWO薄膜晶体管的退火Craft.io开发

大小：228KB | 2021-05-12 02:20:34
钝化层对非晶InGaZnO薄膜晶体管正栅极偏置应力稳定性的影响

钝化层对非晶InGaZnO薄膜晶体管正栅极偏置应力稳定性的影响

大小：2.94MB | 2021-04-20 01:13:28
退火温度对非晶铟钨氧薄膜晶体管特性的影响

退火温度对非晶铟钨氧薄膜晶体管特性的影响

大小：1.13MB | 2021-04-01 11:25:50
量子存储薄膜晶体管闪存

闪存（FlashMemory）是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器...

大小：0B | 2019-09-13 23:29:46
钨掺杂铟锌氧化物薄膜晶体管的制备

钨掺杂铟锌氧化物薄膜晶体管的制备

大小：224KB | 2021-04-24 03:08:11
退火温度对固溶铝掺杂IZO薄膜晶体管的影响

退火温度对固溶铝掺杂IZO薄膜晶体管的影响

大小：185KB | 2021-04-17 16:38:01
石墨烯电极的有机薄膜晶体管研究

石墨烯电极的有机薄膜晶体管研究，陈世琴，陈梦婕，利用化学气相沉积法（CVD）生长的高性能的层状石墨烯...

大小：719KB | 2020-07-17 20:15:40
钼掺杂铟锌氧化物薄膜晶体管的制备与表征

钼掺杂铟锌氧化物薄膜晶体管的制备与表征

大小：1.54MB | 2021-04-24 03:08:04
钼掺杂氧化铟锌高锡薄膜晶体管的制备及性能

钼掺杂氧化铟锌高锡薄膜晶体管的制备及性能

大小：266KB | 2021-04-02 14:44:00
透明全碳纳米管薄膜晶体管

透明全碳纳米管薄膜晶体管

大小：429KB | 2021-04-24 02:55:52