MoS2解毒点阵电子性质的理论研究

受用于在二硫化钼(MoS2)中蚀刻六角形阵列Kong的现有技术方法的启发,通过第一性原理计算研究了带有锯齿形边缘的MoS2防伪点阵(MoS(2)ALs)的电子性质。 单层MoS(2)AL是半导电的,并且随着超级电池面积的增加,带隙收敛到恒定值,这可以归因于边缘效应。 多层MoS(2)AL和F原子化学吸附的MoS(2)AL表现出金属行为,而被H原子吸附的结构仍然是半导体,具有微小的带隙。 我们的结果表明,在MoS2中形成周期性重复的结构可以开发出用于工程化纳米材料的有前途的技术,并为设计基于MoS2的纳米级电子设备和化学传感器提供了新的机会。