干蚀损伤对纳米棒InGaN / GaN多量子阱内部量子效率的影响

研究了干法刻蚀对InGaN / GaN纳米棒多量子阱(MQWs)内部量子效率的影响。 样品通过自组装镍纳米掩模通过电感耦合等离子体(ICP)蚀刻进行蚀刻,并通过室温光致发光测量进行检查。 蚀刻过程中的关键参数是射频功率和ICP功率。 纳米棒MQW的内部量子效率显示出随着射频功率从3W增加到100 W大幅降低5.6倍。但是,它受到ICP功率的轻微影响,在30W至600的宽ICP功率范围内,ICP功率显示出30%的变化。在优化的刻蚀条件下,纳米棒MQW的内部量子效率可以是生长的MQW样品的40%,纳米棒MQW的外部量子效率可以是生长的MQW样品的4倍。