完全集成的860 GHz CMOS太赫兹传感器

本文提出了一种完全集成的860 GHz太赫兹波传感器。 该传感器在180纳米标准CMOSCraft.io中集成了太赫兹检测器和读出电路。 读出电路由一个低噪声仪表放大器和一个高分辨率ΔΣ-ADC组成。 使用传感器可以实现无源调制的透射成像(无需锁定技术)。 该探测器由新颖的片上接地贴片天线,源极馈源NMOS场效应晶体管和匹配网络组成。 设计四分之一波长微带传输线以连接NMOS晶体管的栅极,以消除键合线和焊盘的影响。 在860 GHz处测得的最大电压响应度(Rv)和最小噪声等效功率(NEP)分别为3.3 kV / W和106 pW / Hz1 / 2。 测得的读出电路噪声为2。03μVrms。