Transphorm发布第二款900V GaN FET

日前,设计和制造高压GaN FET供应商Transphorm公司,宣布推出其第二款900V FET,Gen III TP90H050WS(现已开始提供样品),增强了业界的900V GaN产品线。这些器件现在可以使三相工业系统和高压汽车电子产品充分利用GaN的速度,效率和功率密度。此外,新的FET平台基于Transphorm的650V前身,符合JEDEC和AEC-Q101标准的HV GaN技术。 TP90H050WS的典型导通电阻为50mΩ,瞬态额定值为1000V,采用标准TO-247封装。它可以在典型的半桥中达到8kW的功率水平,同时保持超过99%的效率。其Ron * Qoss(谐振开关