多个硅纳米线MOS晶体管中的异常状态电流

这项工作报告了在栅极长度小于2.5毫米的硅纳米线晶体管中观察到异常大的关态电流的现象。 由于栅极长度以及源极/漏极掺杂水平远远超出穿通条件,我们将此观察结果归因于沿纳米线角/边界的电荷传输。 还研究了随温度变化的特性。 阈值电压随着温度的升高线性降低,这归因于氧化物/纳米线界面的电荷状态。 因此,纳米线的角和表面对于超短纳米线晶体管起着重要的作用,并要求对器件设计进行纳米线优化的形状。