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通过金属有机化学气相沉积法在6H SiC衬底上生长的六方相纯宽带隙epsilon Ga2O3薄膜

上传者: 2021-04-19 19:55:26上传 PDF文件 1.76MB 热度 8次
通过金属有机化学气相沉积法在6H-SiC衬底上生长的六方相纯宽带隙epsilon-Ga2O3薄膜
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