有光和无光条件下氢封端多Kong硅的降解机理

Si是众所周知的半导体,其基带隙能量为1.12eV。 它的导带中的光生电子可以与普遍存在的氧React分子产生·O2 −自由基,但价带中的光生空穴不能与OH-相互作用产生·OH自由基。 在本文中,我们研究了降解存在氢的多Kong硅(H-PSi)中的甲基橙(MO)的合成在没有光的情况下降解的MO溶液的吸收光谱表明H-PSi具有优异的降解能力。 在黑暗中,还原染料的转移仅通过氢转移发生。 但是,在室内光线下, 染料分子可以先通过氢转移来还原,然后在氢中分解导带和价带。 该结果应归因于其宽带隙能量集中在1.79-1.94 eV。