使用三角阱改善了InP上的2.2微米InAs / InGaAs QW激光器的性能

已经证明了发射大约2.2微米波长的基于InP的InAs / InGaAs量子阱(QW)激光器。 为了研究三角形量子阱对激光器性能的影响,讨论了用数字合金三角形量子阱生长的激光器,并提出了矩形InAs量子阱激光器作为参考。 三角形QW的使用在阈值电流密度,输出功率,特征温度,最高工作温度,量子效率和内部光学损耗系数方面提高了激光性能。 通过使用三角形QW,在300 K的连续波驱动条件下,阈值电流密度从2.58降低至1.42 kA / cm(2),而在注入电流为400 mA时,输出功率从3.6升高至10.4 mW / facet。 最高工作温度高达330 K,比具有矩形QW的激光器的温度高约20K。