65nm CMOS的自适应偏置60GHz Doherty功率放大器

提出了一种采用65 nm批量CMOSCraft.io实现的60 GHz Doherty功率放大器(PA)。 设计了一种新颖的自适应偏置网络来动态调整峰值PA的偏置电压,以抵消由于C类偏置条件引起的低跨导。 在60 GHz频率下,人造Doherty PA的漏极效率达到22%,饱和功率为13.2 dBm。 测量结果表明,从57 GHz到64 GHz,在峰值和6 dB后退功率区域分别达到了超过17%和8%的效率。