人体模式静电放电对GaN基大功率发光二极管特性的影响

对GaN基大功率蓝光发光二极管(LED)分别施加了-200,-400,-600,-800,-1100和-1500 V的反向人体模式静电打击,每次静电打击后,测量样品电学参数和光学参数的变化,研究了静电对LED可靠性的影响,并从理论上分析了相关衰减机理。结果表明,在-200,-400,-600和-800 V的打击后,有明显的软击穿,这是因为在有源区和限制层中产生了缺陷;在-1100 V和-1500 V的打击后,漏电很大并且光通量衰减为打击前的50%,这是因为大的静电使得有源区产生熔融细丝,导致小电流时LED不发光,大电流时光通量明显下降,致使LED失效。同时还提出了一种简单有效的抗静电保护电路。