具有掺杂轮廓空间变化的纳米线MOSFET的基于表面场的模型

我们报告了一种解决非线性问题的新方法全方位栅极(GAA)纳米线的一维泊松方程具有不均匀掺杂分布的MOSFET。 代数关系电场和电势之间的关系被确定为开发基于表面场的紧凑模型。 漏极电流为从氧化物界面边界条件导出以避免复杂的表面电势方法。 经验证TCAD仿真,此分析模型能够连续涵盖了GAA纳米线MOSFET的所有工作区域缓慢变化的掺杂分布。