氧化钨纳米线/多Kong硅复合材料的合成及其在NO“ 2传感器中的应用

通过钨薄膜的热退火直接在多Kong硅(PS)上生长了直径为20–30 nm且长度为1-2μm的氧化钨(WO3)纳米线。 通过场发射,电子显微镜检查和X射线衍射研究了获得的WO3纳米线/ PS复合材料。 退火温度对产品的形貌有很大影响,最佳退火温度为700 1C。 此外,还研究了WO3纳米线/ PS复合材料的NO2传感特性。发现基于WO3纳米线/ PS复合材料的传感器在150°C的较低工作温度下对NO2有良好的响应和选择性。 最低的NO2浓度为250ppb。新颖的WO3纳米线/ PS复合材料改善了感测性能,对未来的应用具有重要意义。